یکشنبه ۱۶ تیر ۹۸ ۱۲:۰۰ ۱,۱۵۶ بازديد
نسل پنجم V-NANND ها
سامسونگ تولید انبوهی از پنجمین نسل ، حافظه 90 لایه ای 256Gb 3D TLC NAND V-NAND را به عنوان اولین تولید کننده این محصول ، برای استفاده از رابط Toggle DDR 4.0 آغاز کرده است. به گفته این شرکت ، با توجه به این interface جدید ، سرعت انتقال اطلاعات بین استوریج و حافظه از طریق V-NAND جدید ، 1.4Gbps است که یک پیشرفت 40٪ نسبت به نسل 64 لایه ای سامسونگ است. علاوه بر این ، به دلیل بهبود فرایند گواهی لایه اتمی V-NAND ، سامسونگ توانست بهره وری تولید را به میزان 30٪ افزایش دهد و ارتفاع هر لایه سلولی را با 20٪ کاهش دهید.
برای خواندن ادامه مقاله به ادامه مطلب مراجعه نمایید.
- ۱۶ ۱
- ادامه مطلب
- ۲ نظر
